商品型号： IPN50R3K0CE
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-SOT-223-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY954638
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3.5V @ 30uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA, 13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
IPN50R3K0CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN50R3K0CE价格参考￥8.278800。Infineon(英飞凌)IPN50R3K0CE封装/规格：PG-SOT-223-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3.5V @ 30uA 漏源导通电阻：3Ω @ 400mA, 13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPN50R3K0CE
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