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IPD60R380P6

商品型号: IPD60R380P6

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO252-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY758365

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 320uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 320uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

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IPD60R380P6由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R380P6价格参考¥3.106000。Infineon(英飞凌)IPD60R380P6封装/规格:PG-TO252-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 320uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IPD60R380P6