商品型号： IPB057N06N
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO263-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY998839
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.8V @ 36uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.33
200+
￥7.2475
500+
￥7.165
1000+
￥7.0825
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | |
| 类型 | N沟道 |
IPB057N06N由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB057N06N价格参考￥7.330000。Infineon(英飞凌)IPB057N06N封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.8V @ 36uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
手机版：IPB057N06N
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