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IPAN50R500CE

商品型号： IPAN50R500CE

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220FP-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY046642

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.1A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mOhm @ 2.3A, 13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.1A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mOhm @ 2.3A, 13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W (Tc) 类型：N沟道

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IPAN50R500CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPAN50R500CE价格参考￥2.198000。Infineon(英飞凌)IPAN50R500CE封装/规格：TO-220FP-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.1A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mOhm @ 2.3A, 13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPAN50R500CE