商品型号： IPA60R160C6
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO220-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY264058
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 750uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 11.3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.0176
200+
￥9.0148
500+
￥9.012
1000+
￥9.006
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
IPA60R160C6由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPA60R160C6价格参考￥9.017600。Infineon(英飞凌)IPA60R160C6封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 750uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 11.3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPA60R160C6
20万现货SKU
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