商品型号: TPN6R303NC,LQ(S
制造厂商: TOSHIBA(东芝)
封装规格: TSON-8
商品毛重: 0.06g
商品编号: CY695752
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 200uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥1.27
10+
¥1.2268
30+
¥1.1836
100+
¥1.1377
500+
¥1.0918
1000+
¥1.0459
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 20A | |
类型 | N沟道 |
TPN6R303NC,LQ(S由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPN6R303NC,LQ(S价格参考¥1.270000。TOSHIBA(东芝)TPN6R303NC,LQ(S封装/规格:TSON-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 200uA 漏源导通电阻:6.3mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):19W(Tc) 类型:N沟道
手机版:TPN6R303NC,LQ(S
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