IPC100N04S51R9ATMA1

商品型号： IPC100N04S51R9ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8-34

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY813355

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 50uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,1.9mΩ@10V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货5242(5000起订)

数量: X ￥4.3032

总价: ￥4.30

包装:「圆盘 / 5000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥4.3032
10+

￥4.2552
30+

￥4.2072
100+

￥4.1554
500+

￥4.1036
1000+

￥4.0518

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 50uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,1.9mΩ@10V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供IPC100N04S51R9ATMA1引脚图查看，IPC100N04S51R9ATMA1中文资料pdf下载，IPC100N04S51R9ATMA1使用说明书查看，IPC100N04S51R9ATMA1参数pdf下载, IPC100N04S51R9ATMA1工作原理，IPC100N04S51R9ATMA1驱动电路图，IPC100N04S51R9ATMA1数据手册，IPC100N04S51R9ATMA1如何测量, IPC100N04S51R9ATMA1接线图查看

IPC100N04S51R9ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPC100N04S51R9ATMA1价格参考￥4.303200。Infineon(英飞凌)IPC100N04S51R9ATMA1封装/规格：PG-TDSON-8-34,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 50uA 漏源导通电阻：1.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,1.9mΩ@10V

手机版：IPC100N04S51R9ATMA1