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TPN11006NL,LQ

商品型号： TPN11006NL,LQ

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： TSON-8

商品毛重： 0.12g

商品编号： CY794813

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 200uA 漏源导通电阻：11.4mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 200uA 漏源导通电阻：11.4mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V

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TPN11006NL,LQ由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPN11006NL,LQ价格参考￥2.230500。TOSHIBA(东芝)TPN11006NL,LQ封装/规格：TSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 200uA 漏源导通电阻：11.4mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V

手机版：TPN11006NL,LQ