商品型号： CSD85302L
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： PICOSTAR-4
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY891558
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道(共漏) CSD85302L CSD85302L
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | - | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | - | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 漏源导通电阻 | - | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
CSD85302L由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD85302L价格参考￥5.325200。TI(德州仪器)CSD85302L封装/规格：PICOSTAR-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道(共漏) CSD85302L CSD85302L
手机版：CSD85302L
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