商品型号: ZVNL110ASTZ
制造厂商: DIODES(美台)
封装规格: TO-92
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY171429
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥2.1816
200+
¥2.1368
500+
¥2.0912
1000+
¥2.0456
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
ZVNL110ASTZ由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVNL110ASTZ价格参考¥2.181600。DIODES(美台)ZVNL110ASTZ封装/规格:TO-92,连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道
手机版:ZVNL110ASTZ
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