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ZVNL110ASTZ

商品型号: ZVNL110ASTZ

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: TO-92

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY171429

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道

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ZVNL110ASTZ由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVNL110ASTZ价格参考¥2.181600。DIODES(美台)ZVNL110ASTZ封装/规格:TO-92,连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:3Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道

手机版:ZVNL110ASTZ