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BSS8402DW-13-F

商品型号： BSS8402DW-13-F

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT363

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY184111

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：2Ω @ 1mA, 5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	130mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	200mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：2Ω @ 1mA, 5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：P沟道

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BSS8402DW-13-F由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS8402DW-13-F价格参考￥3.194000。DIODES(美台)BSS8402DW-13-F封装/规格：SOT363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：2Ω @ 1mA, 5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW 类型：P沟道

手机版：BSS8402DW-13-F