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IRFH4210DTRPBF

商品型号： IRFH4210DTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY324091

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.1mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.1mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道

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IRFH4210DTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFH4210DTRPBF价格参考￥6.055800。Infineon(英飞凌)IRFH4210DTRPBF封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.1mΩ @ 50A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道

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