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IRF7739L1TRPBF

商品型号： IRF7739L1TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： MG-WDSON-11

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY713120

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1mΩ @ 160A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1mΩ @ 160A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道

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IRF7739L1TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF7739L1TRPBF价格参考￥3.125200。Infineon(英飞凌)IRF7739L1TRPBF封装/规格：MG-WDSON-11,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1mΩ @ 160A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道

手机版：IRF7739L1TRPBF