商品型号： IPW60R024P7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO247-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY503959
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：101A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.2V @ 2.03mA 漏源导通电阻：24mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：291W (Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2886
200+
￥9.2174
500+
￥9.1462
1000+
￥9.0731
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
IPW60R024P7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPW60R024P7价格参考￥9.288600。Infineon(英飞凌)IPW60R024P7封装/规格：PG-TO247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：101A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.2V @ 2.03mA 漏源导通电阻：24mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：291W (Tc) 类型：N沟道
手机版：IPW60R024P7
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