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IPSA70R950CE

商品型号： IPSA70R950CE

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO251-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY896939

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W (Tc) 类型：N沟道

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IPSA70R950CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPSA70R950CE价格参考￥3.346000。Infineon(英飞凌)IPSA70R950CE封装/规格：PG-TO251-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 150uA 漏源导通电阻：950mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPSA70R950CE