商品型号： IPL60R105P7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-VSON-4
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY075419
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 530uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：137W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
IPL60R105P7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPL60R105P7价格参考￥7.202800。Infineon(英飞凌)IPL60R105P7封装/规格：PG-VSON-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 530uA 漏源导通电阻：105mΩ @ 10.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：137W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPL60R105P7
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