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IRFS33N15DTRLP

商品型号: IRFS33N15DTRLP

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: D2PAK

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY094294

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 150V
栅源极阈值电压 5.5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

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IRFS33N15DTRLP由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFS33N15DTRLP价格参考¥6.281600。Infineon(英飞凌)IRFS33N15DTRLP封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道

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