商品型号: IRFS33N15DTRLP
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: D2PAK
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY094294
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥6.2816
200+
¥6.2112
500+
¥6.1408
1000+
¥6.0704
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
栅源极阈值电压 | 5.5V @ 250uA | |
类型 | N沟道 |
IRFS33N15DTRLP由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFS33N15DTRLP价格参考¥6.281600。Infineon(英飞凌)IRFS33N15DTRLP封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):33A(Tc) 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:5.5V @ 250uA 漏源导通电阻:56mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道
手机版:IRFS33N15DTRLP
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