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IRFR2905ZTRPBF

商品型号: IRFR2905ZTRPBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: DPAK

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY482818

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥8.29

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

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IRFR2905ZTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR2905ZTRPBF价格参考¥8.294800。Infineon(英飞凌)IRFR2905ZTRPBF封装/规格:DPAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 36A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IRFR2905ZTRPBF