商品型号: AUIRFS8409-7P
制造厂商: IR 国际整流器
封装规格: TO-263
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY589076
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商品描述: 类型:N沟道(4个) 漏源电压(Vdss):-12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.75mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW
数量
价格
10+
¥7
100+
¥6.5
500+
¥6
1000+
¥5
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | N沟道(4个) | |
漏源电压(Vdss) | -12V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 10mA | |
栅源极阈值电压 | 450mV @ 250uA | |
漏源导通电阻 | 0.75mΩ @ 100A, 10V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 125mW |
AUIRFS8409-7P 场效应MOS管 240A 40V
AUIRFS8409-7P由IR 国际整流器设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRFS8409-7P价格参考¥7.000000。IR 国际整流器AUIRFS8409-7P封装/规格:TO-263,类型:N沟道(4个) 漏源电压(Vdss):-12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10mA 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA 漏源导通电阻:0.75mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125mW
手机版:AUIRFS8409-7P
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