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AUIRF1010Z

商品型号: AUIRF1010Z

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO-220AB

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY148872

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 75A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 75A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道

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AUIRF1010Z由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRF1010Z价格参考¥1.133600。Infineon(英飞凌)AUIRF1010Z封装/规格:TO-220AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 75A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):140W(Tc) 类型:N沟道

手机版:AUIRF1010Z