商品型号： ISS55EP06LM
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-SOT23-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY969899
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 11?A 漏源导通电阻：5.5Ohm @ 180mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | |
| 类型 | P沟道 |
ISS55EP06LM由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,ISS55EP06LM价格参考￥4.141600。Infineon(英飞凌)ISS55EP06LM封装/规格：PG-SOT23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 11?A 漏源导通电阻：5.5Ohm @ 180mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：P沟道
手机版：ISS55EP06LM
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