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IPG20N04S4L-11

商品型号： IPG20N04S4L-11

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY712772

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 15uA 漏源导通电阻：11.6mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：双N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	20A
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 15uA 漏源导通电阻：11.6mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：双N沟道

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IPG20N04S4L-11由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPG20N04S4L-11价格参考￥8.271600。Infineon(英飞凌)IPG20N04S4L-11封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 15uA 漏源导通电阻：11.6mΩ @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：双N沟道

手机版：IPG20N04S4L-11