商品型号： IPD70R600CE
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO252-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY028651
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 0.21mA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | |
| 类型 | N沟道 |
IPD70R600CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD70R600CE价格参考￥5.326000。Infineon(英飞凌)IPD70R600CE封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 0.21mA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPD70R600CE
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