商品型号: IPD65R600C6
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: PG-TO252-3
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY504364
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 210uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
IPD65R600C6由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD65R600C6价格参考¥7.343800。Infineon(英飞凌)IPD65R600C6封装/规格:PG-TO252-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 210uA 漏源导通电阻:600mΩ @ 2.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IPD65R600C6
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