商品型号： IPD65R1K0CE
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO252-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY046244
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：1Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.3522
200+
￥2.2656
500+
￥2.179
1000+
￥2.0895
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
IPD65R1K0CE由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD65R1K0CE价格参考￥2.352200。Infineon(英飞凌)IPD65R1K0CE封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：1Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPD65R1K0CE
20万现货SKU
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