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IPD60R2K0PFD7S

商品型号： IPD60R2K0PFD7S

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO252-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY606028

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 30uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 30uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道

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IPD60R2K0PFD7S由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R2K0PFD7S价格参考￥4.370200。Infineon(英飞凌)IPD60R2K0PFD7S封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 30uA 漏源导通电阻：2Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPD60R2K0PFD7S