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IPB60R170CFD7

商品型号： IPB60R170CFD7

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO263-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY377547

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 300uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 300uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W (Tc) 类型：N沟道

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IPB60R170CFD7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB60R170CFD7价格参考￥8.146800。Infineon(英飞凌)IPB60R170CFD7封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 300uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W (Tc) 类型：N沟道

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