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IPB600N25N3 G

商品型号: IPB600N25N3 G

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO263-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY759400

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 250V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道

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IPB600N25N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB600N25N3 G价格参考¥2.158000。Infineon(英飞凌)IPB600N25N3 G封装/规格:PG-TO263-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IPB600N25N3 G