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IPAN70R600P7S

商品型号： IPAN70R600P7S

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220FP-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY816497

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：24.9W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：24.9W(Tc) 类型：N沟道

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IPAN70R600P7S由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPAN70R600P7S价格参考￥6.253200。Infineon(英飞凌)IPAN70R600P7S封装/规格：TO-220FP-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：24.9W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPAN70R600P7S