商品型号: IMZ120R060M1H
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: PG-TO247-4
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY585326
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):1.2kV 栅源极阈值电压:5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻:78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥8.3624
200+
¥8.2718
500+
¥8.1812
1000+
¥8.0906
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | N沟道 |
IMZ120R060M1H由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IMZ120R060M1H价格参考¥8.362400。Infineon(英飞凌)IMZ120R060M1H封装/规格:PG-TO247-4,连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):1.2kV 栅源极阈值电压:5.7V @ 5.6mA 漏源导通电阻:78mΩ @ 13A,18V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IMZ120R060M1H
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