商品型号： ZXMN6A08KTC
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： TO-252
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY953682
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.12W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
ZXMN6A08KTC由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMN6A08KTC价格参考￥7.005100。DIODES(美台)ZXMN6A08KTC封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.9A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.12W 类型：N沟道
手机版：ZXMN6A08KTC
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