商品型号： NTD2955-1G
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.81g
商品编号： CY516817
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tj) 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥3.1266
10+
￥3.1073
30+
￥3.088
100+
￥3.066
500+
￥3.044
1000+
￥3.022
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | P沟道 |
NTD2955-1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD2955-1G价格参考￥3.126600。ON(安森美)NTD2955-1G封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tj) 类型：P沟道
手机版：NTD2955-1G
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