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NTD2955-1G

商品型号: NTD2955-1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-251(I-PAK)

商品毛重: 0.81g

商品编号: CY516817

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 12A
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道

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NTD2955-1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD2955-1G价格参考¥3.126600。ON(安森美)NTD2955-1G封装/规格:TO-251(I-PAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道

手机版:NTD2955-1G