商品型号: NTD2955-1G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-251(I-PAK)
商品毛重: 0.81g
商品编号: CY516817
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道
数量
价格
1+
¥3.1266
10+
¥3.1073
30+
¥3.088
100+
¥3.066
500+
¥3.044
1000+
¥3.022
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 12A | |
类型 | P沟道 |
NTD2955-1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD2955-1G价格参考¥3.126600。ON(安森美)NTD2955-1G封装/规格:TO-251(I-PAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55W(Tj) 类型:P沟道
手机版:NTD2955-1G
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