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FCH023N65S3

商品型号: FCH023N65S3

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-247(AC)

商品毛重: 6.86g

商品编号: CY727297

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻:23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):595W 类型:N沟道 N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻:23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):595W 类型:N沟道 N沟道

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FCH023N65S3由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCH023N65S3价格参考¥3.175800。ON(安森美)FCH023N65S3封装/规格:TO-247(AC),连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻:23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):595W 类型:N沟道 N沟道

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