商品型号: FCH023N65S3
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-247(AC)
商品毛重: 6.86g
商品编号: CY727297
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻:23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):595W 类型:N沟道 N沟道
数量
价格
1+
¥3.1758
30+
¥3.1172
32+
¥3.0586
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
FCH023N65S3由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCH023N65S3价格参考¥3.175800。ON(安森美)FCH023N65S3封装/规格:TO-247(AC),连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 7.5mA 漏源导通电阻:23mΩ @ 37.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):595W 类型:N沟道 N沟道
手机版:FCH023N65S3
20万现货SKU
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