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BSS83PH6327XTSA1

商品型号： BSS83PH6327XTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.70g

商品编号： CY586261

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：330mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 80uA 漏源导通电阻：2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道 P沟道,60V,330mA,2Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	360mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：330mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 80uA 漏源导通电阻：2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道 P沟道,60V,330mA,2Ω@10V

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BSS83PH6327XTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS83PH6327XTSA1价格参考￥8.502800。Infineon(英飞凌)BSS83PH6327XTSA1封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：330mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 80uA 漏源导通电阻：2Ω @ 330mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道 P沟道,60V,330mA,2Ω@10V

手机版：BSS83PH6327XTSA1