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2N7002T-7-01-F

商品型号： 2N7002T-7-01-F

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT523

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY058402

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 50mA, 5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：115mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5Ω @ 50mA, 5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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手机版：2N7002T-7-01-F