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AUIRFS8409TRL

商品型号： AUIRFS8409TRL

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： D2PAK

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY783668

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 250?A 漏源导通电阻：1.2mOhm @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 250?A 漏源导通电阻：1.2mOhm @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道

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AUIRFS8409TRL由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRFS8409TRL价格参考￥8.150600。Infineon(英飞凌)AUIRFS8409TRL封装/规格：D2PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.9V @ 250?A 漏源导通电阻：1.2mOhm @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道

手机版：AUIRFS8409TRL