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ISZ065N03L5S

商品型号： ISZ065N03L5S

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY920437

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：8.6mOhm @ 20A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	-
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：8.6mOhm @ 20A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

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ISZ065N03L5S由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,ISZ065N03L5S价格参考￥3.356400。Infineon(英飞凌)ISZ065N03L5S封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250?A 漏源导通电阻：8.6mOhm @ 20A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

手机版：ISZ065N03L5S