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BSS225 H6327
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BSS225 H6327

商品型号: BSS225 H6327

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-SOT89-4

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY079429

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:2.3V @ 94?A 漏源导通电阻:45Ohm @ 90mA, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥7.12

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 90mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 1W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):90mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:2.3V @ 94?A 漏源导通电阻:45Ohm @ 90mA, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

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BSS225 H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS225 H6327价格参考¥7.120400。Infineon(英飞凌)BSS225 H6327封装/规格:PG-SOT89-4,连续漏极电流(Id)(25°C 时):90mA 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:2.3V @ 94?A 漏源导通电阻:45Ohm @ 90mA, 4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道

手机版:BSS225 H6327