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BSC084P03NS3E G

商品型号： BSC084P03NS3E G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY893203

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.9A,78.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 110uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.9A,78.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 110uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

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BSC084P03NS3E G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC084P03NS3E G价格参考￥2.229600。Infineon(英飞凌)BSC084P03NS3E G封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.9A,78.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 110uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道

手机版：BSC084P03NS3E G