商品型号： BSC0502NSI
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TDSON-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY082945
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
BSC0502NSI由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC0502NSI价格参考￥2.280800。Infineon(英飞凌)BSC0502NSI封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
手机版：BSC0502NSI
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