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IRFR812TRPBF

商品型号： IRFR812TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： DPAK

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY506694

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250?A 漏源导通电阻：2.2Ohm @ 2.2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250?A 漏源导通电阻：2.2Ohm @ 2.2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W (Tc) 类型：N沟道

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IRFR812TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR812TRPBF价格参考￥3.397600。Infineon(英飞凌)IRFR812TRPBF封装/规格：DPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.6A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250?A 漏源导通电阻：2.2Ohm @ 2.2A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W (Tc) 类型：N沟道

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