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IRFB3006GPBF

商品型号： IRFB3006GPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO220

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY849039

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 170A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 170A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道

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IRFB3006GPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFB3006GPBF价格参考￥6.043100。Infineon(英飞凌)IRFB3006GPBF封装/规格：TO220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：195A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 170A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道

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