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IRF6893MTRPBF

商品型号： IRF6893MTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： MG-WDSON-5

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY382472

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.6mΩ @ 29A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	25V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.6mΩ @ 29A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道

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IRF6893MTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF6893MTRPBF价格参考￥2.093600。Infineon(英飞凌)IRF6893MTRPBF封装/规格：MG-WDSON-5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：2.1V @ 100uA 漏源导通电阻：1.6mΩ @ 29A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道

手机版：IRF6893MTRPBF