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IPSA70R750P7S

商品型号： IPSA70R750P7S

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO251-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY811379

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：750mOhm @ 1.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	6.5A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：750mOhm @ 1.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W (Tc) 类型：N沟道

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IPSA70R750P7S由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPSA70R750P7S价格参考￥9.217800。Infineon(英飞凌)IPSA70R750P7S封装/规格：PG-TO251-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 70uA 漏源导通电阻：750mOhm @ 1.4A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34.7W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPSA70R750P7S