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IPP70N10S3L-12

商品型号： IPP70N10S3L-12

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO220-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY942558

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 83uA 漏源导通电阻：12.1mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 83uA 漏源导通电阻：12.1mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

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IPP70N10S3L-12由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP70N10S3L-12价格参考￥4.315600。Infineon(英飞凌)IPP70N10S3L-12封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 83uA 漏源导通电阻：12.1mΩ @ 70A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IPP70N10S3L-12