商品型号： IPP65R225C7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO220-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY476088
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 240uA 漏源导通电阻：225mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.3347
200+
￥9.2526
500+
￥9.1684
1000+
￥9.0842
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
IPP65R225C7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP65R225C7价格参考￥9.334700。Infineon(英飞凌)IPP65R225C7封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 240uA 漏源导通电阻：225mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPP65R225C7
20万现货SKU
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