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IPI80N08S4-06

商品型号： IPI80N08S4-06

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO262-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY812571

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 90?A 漏源导通电阻：5.8mOhm @ 80A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	80A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 90?A 漏源导通电阻：5.8mOhm @ 80A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

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IPI80N08S4-06由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPI80N08S4-06价格参考￥5.139300。Infineon(英飞凌)IPI80N08S4-06封装/规格：PG-TO262-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 90?A 漏源导通电阻：5.8mOhm @ 80A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPI80N08S4-06