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IPD80R900P7

商品型号: IPD80R900P7

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO252-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY787892

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W (Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 800V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W (Tc) 类型:N沟道

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IPD80R900P7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD80R900P7价格参考¥9.288900。Infineon(英飞凌)IPD80R900P7封装/规格:PG-TO252-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.5V @ 110uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):45W (Tc) 类型:N沟道

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