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IPB80N06S2L-06

商品型号： IPB80N06S2L-06

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO263-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY605019

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 180uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 69A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 180uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 69A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道

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IPB80N06S2L-06由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB80N06S2L-06价格参考￥5.026900。Infineon(英飞凌)IPB80N06S2L-06封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 180uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 69A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道

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