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IPB70N12S3-11

商品型号： IPB70N12S3-11

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO263-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY127386

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 83?A 漏源导通电阻：11.6mOhm @ 70A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	120V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 83?A 漏源导通电阻：11.6mOhm @ 70A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W (Tc) 类型：N沟道

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IPB70N12S3-11由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB70N12S3-11价格参考￥2.035000。Infineon(英飞凌)IPB70N12S3-11封装/规格：PG-TO263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4V @ 83?A 漏源导通电阻：11.6mOhm @ 70A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPB70N12S3-11